本發(fā)明公開了一種為SiGe薄膜定量分析制作的標準樣品,該標準樣品是一個多層結(jié)構(gòu)的SiGe薄膜淀積在Si襯底上;每一層的厚度范圍從100埃到2000埃,每一層SiGe薄膜的Ge和Si的原子百分比(at%)不同,其中Ge的范圍從0.1at%到99at%。此外,本發(fā)明還公開了該標準樣品的制備方法,此方法使用CVD技術(shù)將具有多層結(jié)構(gòu)的SiGe薄膜淀積在Si襯底上,利用CVD設(shè)備中的氣相流量計控制進入反應(yīng)過程中的GeH4和SiH4的化學(xué)成分比,并由此可以對每一層的SiGe薄膜粗略估計其Si,Ge的化學(xué)組成比;然后使用SIMS對每一層的SiGe的化學(xué)組成比進行精確測定。本發(fā)明可大大降低制作成本。
聲明:
“為SiGe薄膜定量分析制作的標準樣品及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)