本發(fā)明公開了一種用于大規(guī)模集成
芯片內(nèi)單個(gè)器件的抗輻照能力的分析方法,將完整的大規(guī)模集成電路芯片,開蓋去封裝,通過機(jī)械研磨和化學(xué)刻蝕,逐層剝離鈍化層、金屬互連線,獲得器件外露的裸芯片;將所述器件外露的裸芯片置于Co60γ射線源電離輻射環(huán)境中,測試其電學(xué)特性;采用聚焦離子束,將器件外露的裸芯片進(jìn)行切割,分離出芯片內(nèi)部典型器件,并生長引線,獲得隔離的單個(gè)器件測試系統(tǒng);將所隔離的單個(gè)器件測試系統(tǒng)置于Co60γ射線源電離輻射環(huán)境中,測試其隔離狀態(tài)下單個(gè)器件的電學(xué)特性。本發(fā)明直接測量裸芯片整體的輻照損傷,能夠直接測量芯片內(nèi)部單個(gè)器件輻照損傷電學(xué)性能,能夠直接測試目標(biāo)器件的輻照損傷特性。
聲明:
“用于大規(guī)模集成芯片內(nèi)單個(gè)器件的抗輻照能力的分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)