本發(fā)明是一種硅基三維結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)輔助
電化學(xué)腐蝕的方法,該方法包括光刻硅片、配置腐蝕液、電化學(xué)腐蝕前的準(zhǔn)備、電化學(xué)腐蝕的實(shí)施及后處理步驟,其中:在配置腐蝕液的過(guò)程中,是將氫氟酸、二甲基甲酰胺和水混合,組成三者的體積比為(2.5~3.5)∶(14~18)∶1的腐蝕液作為負(fù)極腐蝕液,將質(zhì)量濃度96%的分析純NH4F、質(zhì)量濃度40%的HF和水混合,組成三者的體積比為3∶6∶10的氫氟酸緩沖腐蝕液作為正極的腐蝕液;在磁場(chǎng)配置過(guò)程中,是將磁場(chǎng)方向垂直100晶向,同時(shí)與電場(chǎng)方向垂直,該磁場(chǎng)方向定為x軸。本發(fā)明提供的方法具有工藝簡(jiǎn)單、實(shí)用性強(qiáng)和容易實(shí)施等優(yōu)點(diǎn),可以獲得大間距陡直圖形的硅基三維結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品。
聲明:
“硅基三維結(jié)構(gòu)磁場(chǎng)輔助電化學(xué)腐蝕的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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