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基于N,S-CDs/CuPc復合材料的分子印跡光電化學傳感器的制備方法和應用

738   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網  
2023-03-19 06:57:24
本發(fā)明公開了一種基于N,S?CDs/CuPc復合材料的分子印跡光電化學傳感器的制備方法和在赭曲霉毒素A(OTA)檢測方面的應用。本發(fā)明通過氮和硫共摻雜和非共價功能化方法的協(xié)同效應,正確調整碳點的能級,優(yōu)化緊密的界面接觸和延長光吸收范圍和增強電荷轉移效率來制備得到N,S?CDs/CuPc復合材料,并結合分子印跡技術,成功制備了分子印跡光電化學傳感器。本發(fā)明制備的傳感器以N,S?CDs和CuPc形成的復合材料作為光電轉換層,通過表面修飾含有毒素識別位點的分子印跡膜來實現OTA的檢測。該傳感器具有檢測范圍寬,選擇性好,靈敏度高,檢測限高達0.51pg·mL?1;同時響應穩(wěn)定,具有良好的重現性。
聲明:
“基于N,S-CDs/CuPc復合材料的分子印跡光電化學傳感器的制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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