本發(fā)明公開(kāi)了一種基于MOSFET結(jié)構(gòu)的DNA
電化學(xué)傳感器,包括CMOS襯底,所述CMOS襯底上沉積有氮化硅層,所述氮化硅層上覆蓋二氧化硅絕緣層;其特征在于所述二氧化硅絕緣層為具有微孔結(jié)構(gòu)的微孔陣列,所述微孔側(cè)壁上SiO2絕緣層通過(guò)羧基偶聯(lián)有DNA探針作為敏感元件。該微孔結(jié)構(gòu)不但可以檢測(cè)DNA探針與DNA靶標(biāo)之間的結(jié)合而且可以在微孔中進(jìn)行模板擴(kuò)增有利于利用pH檢測(cè)功能來(lái)檢測(cè)DNA的合成,進(jìn)而具有DNA測(cè)序功能。
聲明:
“基于MOSFET結(jié)構(gòu)的DNA電化學(xué)傳感器及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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