本發(fā)明涉及一種
多晶硅環(huán)的化學機械拋光方法，依次包括將硅環(huán)和無紡布拋光墊安裝在拋光機上、粗拋、精拋步驟；粗拋中的粗拋液的成分為
氧化鋁（0.23?0.26μm）10%?40%，金剛石（0.32?0.34μm）0.2%?5%，水60%?90%；精拋中的精拋液成分為膠體SiO2（90?120nm）0.8%?1%，SiO2（40?45nm）0.3%?0.5%，哌嗪0.08%?0.12%，氫氧化四甲基銨0.01%?0.05%,純水＞98%；在粗拋過程中將含有納米金剛石的拋拋液分散在無紡布拋光墊上，粗拋液中氧化鋁微粉能夠降低硅環(huán)表面粗糙度，減小亞表面損傷層深度，提高拋光效率，在精拋過程中，精拋液能夠實現化學作用與機械作用的良好匹配，保證拋光硅晶片高去除速率的同時，避免拋光霧等缺陷的形成，提高拋光后表面質量，拋光方法后硅環(huán)平面度＜20μm，破損層DOD=0um，經檢測拋光合格。
聲明：
“多晶硅環(huán)的化學機械拋光方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯系該技術所有人。
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編輯：管理員
來源：中冶有色技術網
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2025年03月28日 ~ 30日 
