本發(fā)明揭示了一種層間介電質(zhì)化學(xué)機械研磨的時間反饋控制方法,包括:根據(jù)晶片實測厚度數(shù)據(jù)和設(shè)定的研磨速率對預(yù)定數(shù)量的一組晶片依次進行層間介電質(zhì)的化學(xué)機械研磨;分別獲取研磨所述一組晶片中的每一個晶片的時間,作為反饋時間依次提供給先進過程控制系統(tǒng);先進控制系統(tǒng)依次檢查每一個反饋時間是否在預(yù)定的控制限制范圍內(nèi),如果在預(yù)定的控制限制范圍內(nèi),保留該數(shù)據(jù);如果超出了預(yù)定的控制限制范圍,該先進控制系統(tǒng)計算一修正值替換該反饋時間;所述先進過程控制系統(tǒng)根據(jù)經(jīng)過修正的反饋時間確定同樣是該預(yù)定數(shù)量的下一組晶片中每一個晶片的研磨時間,其中,每一個晶片的研磨時間由與該晶片在該組中的順序位置對應(yīng)的反饋時間確定。
聲明:
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