本發(fā)明提供了一種非晶單質(zhì)硒薄膜的
電化學(xué)制備方法,其特征在于:以亞硒酸(H2SeO3)為硒源,與檸檬酸水溶液形成含硒電化學(xué)沉積液;以導(dǎo)電玻璃為薄膜沉積基底,在上述電化學(xué)沉積液中利用電化學(xué)方法(恒電位技術(shù)),沉積電位變動(dòng)范圍為-0.5V~-0.8V(相對(duì)于飽和甘汞電極),沉積時(shí)間為100~14400s,沉積制備好的非晶單質(zhì)硒薄膜在去離子水中浸泡數(shù)分鐘,除去表面的溶液離子,在室溫下進(jìn)行干燥,即可獲得非晶單質(zhì)硒薄膜。本發(fā)明方法設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便、所制薄膜均勻、厚度可控,有利于實(shí)驗(yàn)的后續(xù)相關(guān)材料的測(cè)試及表征。本發(fā)明主要應(yīng)用于非晶單質(zhì)硒薄膜的制備。
聲明:
“電化學(xué)制備非晶單質(zhì)硒薄膜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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