本發(fā)明揭露了一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)，其包含：?jiǎn)尉Щ衔?a href="http://www.189000b.com/meet_show-129.html" target="_blank">半導(dǎo)體材料層；以及多晶化學(xué)氣相沉積鉆石材料層，其中該多晶化學(xué)氣相沉積鉆石材料層經(jīng)由厚度小于25nm、厚度變化不大于15nm的接合層與該單晶化合物半導(dǎo)體材料層接合，其中通過(guò)該單晶化合物半導(dǎo)體材料層與該多晶化學(xué)氣相沉積鉆石材料層之間的接口處的瞬態(tài)熱反射所測(cè)量的有效熱邊界電阻(TBReff)小于25m2K/GW，在該半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)上測(cè)量的變化幅度不超過(guò)12m2K/GW，并且其中該單晶化合物半導(dǎo)體材料層具有以下特征之一或兩者：電荷遷移率至少為1200cm2V?1s?1；以及片電阻不超過(guò)700□/平方。