本發(fā)明提供了一種化學腐蝕硅通孔面過電鍍銅層的裝置及方法,所述裝置包括:在銅腐蝕槽內設有一測距傳感器用于測量槽內液位,銅腐蝕槽的底部設有腐蝕液的進口和出口,分別安裝進口閥門和出口閥門;還包括用于把持晶圓片的機械臂桿,用于將TSV電鍍后的晶圓片表面浸入銅腐蝕槽內的腐蝕液中;所述測距傳感器、進口閥門、出口閥門和機械臂桿的控制器均連接到總的控制器或計算機。本發(fā)明的優(yōu)點是:本發(fā)明基于化學腐蝕銅和CMP工藝結合去除表面過厚銅層的思想,設計了一種化學濕法刻蝕銅的簡易裝置。可有效解決TSV過電鍍的問題,采用先濕法腐蝕銅的方法,除去多數(shù)銅,為CMP銅工藝減輕負擔,降低成本。
聲明:
“化學腐蝕硅通孔面過電鍍銅層的裝置及方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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