本申請?zhí)峁┝艘环N多層互連結(jié)構(gòu)的化學機械研磨制程仿真的方法和裝置，計算得到半導體互連結(jié)構(gòu)下層結(jié)構(gòu)的各個位置的圖形區(qū)高度和下層結(jié)構(gòu)的空白區(qū)高度，將各個位置的圖形區(qū)高度分別減去空白區(qū)高度得到的差值，作為各個位置的不平坦性表征參數(shù)高度差值，將不平坦性表征參數(shù)高度差值疊加到單層CMP模型中得到新模型，以利用新模型對半導體互連結(jié)構(gòu)的上層結(jié)構(gòu)進行化學機械研磨仿真。從而可對單層CMP模型進行修正得到新模型，由于新模型考慮了半導體互連結(jié)構(gòu)的下層結(jié)構(gòu)對上層結(jié)構(gòu)的疊層效應，可以得到上層結(jié)構(gòu)更準確的仿真預測結(jié)果，提升化學機械研磨根據(jù)仿真模型的預測精度，在設計階段避免可能的缺陷，縮短產(chǎn)品從設計到制造的周期，協(xié)同提高產(chǎn)品的生產(chǎn)良率。