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電化學(xué)裝置和電子裝置,其包括負(fù)極極片,負(fù)極極片包括
負(fù)極材料層,負(fù)極材料層包括負(fù)極活性材料,負(fù)極活性材料包括石墨,其中,滿足(d1/d2?1)×100%≤0.56%,3.3600≤d1≤3.3720;其中,為采用X射線衍射儀測試,將所述負(fù)極材料層進(jìn)行燒結(jié)處理得到的所述負(fù)極活性材料的(002)晶面的晶面間距;為采用X射線衍射儀測試,所述負(fù)極材料層中的負(fù)極活性材料的(002)晶面的晶面間距。本申請?zhí)峁┑碾娀瘜W(xué)裝置的負(fù)極極片在循環(huán)過程中具有低的膨脹率,從而電化學(xué)裝置在循環(huán)過程中也具有低的膨脹率。
聲明:
“電化學(xué)裝置和電子裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)