本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N外延片及其制造方法以及
電化學(xué)傳感器,其中外延片包括:襯底;InGaN層片,形成于所述襯底的一側(cè)表面,其In含量在20%和60%之間,以確保從帶負(fù)電的表面態(tài)到帶正電的表面態(tài)的轉(zhuǎn)變發(fā)生在組成范圍內(nèi);InN層片,形成于所述InGaN層片的背朝所述襯底的一側(cè)表面上,以用作所述InGaN層片的表面電荷的穩(wěn)定層。In含量在20%和60%之間的InGaN層片允許產(chǎn)生獨(dú)立于待測(cè)溶液濃度的電化學(xué)響應(yīng);另外,高密度本征帶正電表面態(tài)的InN層片進(jìn)一步提高了本實(shí)施例參比電極的電化學(xué)穩(wěn)定性,InGaN層片和InN層片的結(jié)合進(jìn)一步使得應(yīng)用本申請(qǐng)外延片的參比電極能夠具有穩(wěn)定電化學(xué)響應(yīng)。
聲明:
“外延片及其制造方法以及電化學(xué)傳感器” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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