本發(fā)明涉及一種化學(xué)場(chǎng)效應(yīng)晶體管氣敏傳感器及其制造方法，所述氣敏傳感器具有至少一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其包括：半導(dǎo)體襯底；形成在半導(dǎo)體襯底上的源區(qū)、漏區(qū)；形成在源區(qū)與漏區(qū)之間的襯底表面上的溝道區(qū)；形成在溝道區(qū)上的絕緣層；以及形成在絕緣層上的敏感層，其作為柵極。以及將相同和/或不同柵區(qū)氧化層面積、形狀、溝道寬長(zhǎng)比和/或柵氧化層厚度的多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成傳感器陣列。與普通MOSFET化學(xué)場(chǎng)效應(yīng)管相比，本發(fā)明中的化學(xué)場(chǎng)效應(yīng)管將金屬或多晶硅柵極去掉，通過(guò)器件的開(kāi)關(guān)狀態(tài)變化分辨氣體種類并測(cè)量氣體濃度，具有靈敏度高、制造成本低等優(yōu)點(diǎn)。