本發(fā)明公開了一種基于氧化物異質(zhì)結(jié)的極性溶劑化學(xué)傳感器,在襯底上制備ZnMgO/ZnO異質(zhì)結(jié)構(gòu),通過光刻、熱蒸發(fā)等半導(dǎo)體工藝在異質(zhì)結(jié)構(gòu)制作電極,形成肖特基?歐姆接觸的非對(duì)稱無柵高電子遷移率晶體管(HEMT)結(jié)構(gòu)的化學(xué)傳感器。ZnMgO/ZnO異質(zhì)界面形成二維電子氣(2DEG),吸附于器件傳感區(qū)域的極性溶劑分子可以影響異質(zhì)界面二維電子氣(2DEG)的濃度,通過器件漏源電流的變化,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)多種極性溶劑的探測(cè)。
聲明:
“基于氧化物異質(zhì)結(jié)的極性溶劑化學(xué)傳感器及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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