本發(fā)明公開了一種拋光方法和化學(xué)機械拋光設(shè)備,其中拋光方法包括:晶圓完成磨削后,測量晶圓CMP之前的厚度的前值形貌,根據(jù)損傷層厚度確定去除損傷層之后的厚度的上限形貌,其中,所述上限形貌為前值形貌減去損傷層厚度;如果預(yù)存的參考厚度落在前值形貌和上限形貌之間,則基于使平整度和拋光效率最優(yōu)的約束條件重新計算厚度的目標(biāo)形貌,其中,所述目標(biāo)形貌限定在上限形貌和下限厚度之間,所述下限厚度為制程要求的晶圓最薄厚度;如果所述參考厚度落在上限形貌和下限厚度之間,則直接將參考厚度作為目標(biāo)形貌;按照所述目標(biāo)形貌調(diào)整拋光壓力執(zhí)行拋光。
聲明:
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