大面積的非晶態(tài)GaAs薄膜已經(jīng)由簡單和廉價磁控濺射技術(shù)制備出來了,并且非晶態(tài)GaAs薄膜具有半導(dǎo)體特性,但是非晶GaAs薄膜中存在組分偏析所引入大量的結(jié)構(gòu)缺陷,阻礙非晶GaAs材料應(yīng)用于光電子器件。我們發(fā)明的目的在于提供一種化學(xué)計量比非晶GaAs薄膜的濺射制備方法,在保證非晶GaAs薄膜的完全無序結(jié)構(gòu)前提下,防止組分偏析,提高非晶GaAs薄膜的光電性能和表面形貌,這為研制短波紅外探測器、
太陽能電池以及其他非晶態(tài)光電子器件奠定基礎(chǔ)。
聲明:
“制備化學(xué)計量比非晶GaAs薄膜材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)