本發(fā)明屬于技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于中紅外漫反射光譜技術(shù)結(jié)合化學(xué)計(jì)量學(xué)偏最小二乘法的β?HMX晶型純度檢測方法。該檢測方法采用中紅外漫反射光譜技術(shù)結(jié)合化學(xué)計(jì)量學(xué)偏最小二乘法建立β?HMX晶型純度定量校正模型及相應(yīng)的晶型純度測試方法。所建多變量校正模型可以分析重疊光譜和寬譜帶,適用于含有α?HMX雜質(zhì)晶型的β?HMX產(chǎn)品的晶型純度分析。
聲明:
“基于中紅外漫反射光譜技術(shù)的β-HMX晶型純度檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)