本發(fā)明公開了一種化學(xué)機(jī)械拋光方法及
芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法,包括:將芯片版圖劃分成多個窗格,提取各個窗格的特征參數(shù);以各個窗格的特征參數(shù)為索引,查詢預(yù)設(shè)類型號,判斷各個窗格的類型號,并將相同類型號的窗格定義為同一集群;對于芯片版圖內(nèi)任一窗格i,提取預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù),所述預(yù)設(shè)區(qū)域覆蓋所述窗格i,且所述預(yù)設(shè)區(qū)域的面積大于所述窗格i的面積;利用所述窗格i的特征參數(shù)及所述預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)與所述窗格i屬于同一集群的其他窗格的特征參數(shù),計算所述窗格i的等效特征參數(shù),提高了利用CMP模型對芯片表面形貌進(jìn)行預(yù)測的方法的精度,提高集成電路的良率。
聲明:
“化學(xué)機(jī)械拋光方法及芯片版圖等效特征參數(shù)提取方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)