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化學機械拋光仿真的方法和裝置

660   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網  
2023-03-19 07:03:22
一種化學機械拋光仿真的方法和裝置，其中，所述CMP仿真的方法包括：輸入芯片版圖，芯片版圖包括多個圖形；將芯片版圖劃分初始網格，初始網格包括多個子網格，計算初始網格的圖形特征；對初始網格進行移位，產生移位網格，計算初始網格和移位網格的平均圖形特征；根據初始網格的圖形特征，進行CMP仿真，對芯片版圖上存在的第一熱點進行定位；根據所述平均圖形特征以及定位的第一熱點，對初始網格的圖形特征進行修正，產生優(yōu)化網格的圖形特征；根據優(yōu)化網格的圖形特征，進行CMP仿真，對芯片版圖上存在的第二熱點進行定位。本發(fā)明實施例的方法，考慮到近鄰子網格間的長程關聯(lián)效應，減少了錯誤熱點的預測數量，提高了CMP仿真的準確性。
聲明：
“化學機械拋光仿真的方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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