本發(fā)明公開了一種用于重金屬離子檢測的碳納米線微陣列電極制備方法,其特征在于所述的方法基于MEMS工藝的負性光刻膠碳化工藝,基于因幾何結(jié)構(gòu)限制引起負性光刻膠刻蝕速率分布不同的現(xiàn)象,通過控制顯影時間來控制亞微米級光刻膠絲線陣列的形成,然后置于N2(95%)+H2(5%)保護下,經(jīng)高溫熱解形成碳納米線陣列。本發(fā)明結(jié)合MEMS工藝,在碳表面制作納米尺寸結(jié)構(gòu),增大電極比表面積,同時結(jié)合微陣列電極的優(yōu)勢,提高重金屬離子檢測的靈敏度、縮短檢測時間。本發(fā)明可廣泛應用于
電化學分析各個領(lǐng)域、特別適合于地表水、污水、飲料中的溶出伏安法測定重金屬離子。
聲明:
“用于重金屬離子檢測的碳納米線微陣列電極制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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