本發(fā)明涉及一種對晶片表面修整的方法,此方法包括提供具有第一三維固定研磨元件(16)和一般與第一固定研磨元件(16)共同延伸的第一附墊(10)的第一磨具(6),使第一三維固定研磨元件(16)的表面與晶片表面接觸,并使第一磨具(6)與晶片相對運(yùn)動。本方法還提供一種第二磨具(6),此磨具(6)含有第二三維固定研磨元件(16)和一般與第二固定研磨元件(16)共同延伸的第二附墊(10),使第二三維固定研磨元件表面與晶片表面接觸,并使第二磨具(6)與晶片相對運(yùn)動。從1kg重物邊緣1.5cm位置測量時,第一附墊的下陷小于第二附墊的下陷,該重物有直徑1.9cm的接觸面積。