本發(fā)明提供了一種凈化間環(huán)境檢測方法,至少包括如下步驟:提供一化學放大光刻膠;然后,對所述化學放大光刻膠進行曝光及曝光后烘烤;待所述化學放大光刻膠上因曝光而產(chǎn)生的光酸與凈化間內(nèi)空氣接觸后,在所述化學放大光刻膠上形成T型結構;然后,再對所述T型結構進行數(shù)據(jù)測定。相較于現(xiàn)有技術,本發(fā)明是通過直接測量光刻膠T型形貌來檢測凈化間內(nèi)空氣中雜質對DUV光刻工藝的影響,檢測獲得的數(shù)據(jù)簡單直觀,且檢測成本較低。
聲明:
“凈化間環(huán)境檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)