本發(fā)明提供一種晶體硅片位錯檢測方法,先采用添加有醇類化學添加劑的堿溶液對切割晶體硅錠得到的晶體硅片進行堿處理,然后再進行化學拋光和化學腐蝕。由于所述堿溶液能夠去除堿溶液腐蝕過程中產生的氣泡,降低堿處理后的晶體硅片表面粗糙度,從而能夠代替現(xiàn)有技術中的機械拋光,得到較好的拋光效果。相對于現(xiàn)有技術中需要碎片、預處理等工序才能進行拋光的機械拋光過程,其工藝更加簡單,同時相對于機械拋光需要的時間,本發(fā)明提供的堿處理過程需要的時間更短,提高了位錯檢測效率;且堿處理和化學拋光過程中無需使用昂貴的機械拋光設備,在一定程度上降低了位錯檢測成本。
聲明:
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