本發(fā)明提供一種檢測設(shè)備,所述檢測設(shè)備包括第一腔室、第二腔室、處理液滴定裝置、抽氣裝置、傳送裝置及監(jiān)測裝置,所述處理液滴定裝置設(shè)于所述第一腔室的頂部,所述抽氣裝置與所述第一腔室連接,所述監(jiān)測裝置設(shè)于所述第二腔室的頂部,所述傳送裝置用于將陣列基板依次傳送至所述第一腔室、第二腔室中。本發(fā)明提出的檢測設(shè)備包括第一腔室、第二腔室、處理液滴定裝置、抽氣裝置、傳送裝置及監(jiān)測裝置,在第一腔室中通過處理液滴定裝置對陣列基板的待檢測區(qū)域進(jìn)行化學(xué)蝕刻,在第二腔室中通過監(jiān)測裝置來對化學(xué)蝕刻后的待檢測區(qū)域中的
多晶硅的晶粒大小進(jìn)行監(jiān)測,從而實(shí)現(xiàn)在線上便可獲得清晰的SEM圖,降低了生產(chǎn)成本、提升了生產(chǎn)效率和良率。
聲明:
“檢測設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)