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單晶硅表面劃痕損傷層厚度的檢測方法

987   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:13:10
一種單晶硅表面劃痕損傷層厚度的檢測方法,其步驟是:A、在化學(xué)機械拋光法拋光后的單晶硅晶圓上切取出單晶硅樣品,對其使用原子力顯微鏡進(jìn)行掃描,得到單晶硅樣品表面的三維形貌,并測出其中的凹陷深度;B、將單晶硅樣品放置于質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15-25%的HF溶液中刻蝕20-40分鐘,取出單晶硅樣品并用丙酮和酒精依次清洗,再使用原子力顯微鏡進(jìn)行掃描,得到刻蝕后的單晶硅樣品表面三維形貌,并測出其中的凹陷深度;C、將B步得到的凹陷深度與A步的對應(yīng)位置處的凹陷深度相減,得到刻蝕后凹陷深度增加值即為單晶硅表面劃痕損傷層厚度。該方法的制樣、檢測過程簡單,檢測時間短、所需樣本材料小、檢測成本低,檢測結(jié)果精確、直觀。
聲明:
“單晶硅表面劃痕損傷層厚度的檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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