本發(fā)明涉及材料檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種用于高純GaN單晶中痕量雜質(zhì)元素分布的檢測(cè)方法，包括以下步驟：步驟1、將待測(cè)的GaN單晶樣品放置于樣品室中的載物臺(tái)上；步驟2、將樣品室先抽真空，再通入載氣，使樣品室氣壓上升至大氣壓；隨之抽真空，再次通載氣至大氣壓，反復(fù)若干次；步驟3、將樣品室通入載氣并保持穩(wěn)定氣流持續(xù)吹掃樣品室，引入ICP炬焰，檢測(cè)各待測(cè)元素質(zhì)荷比計(jì)數(shù)，直至待測(cè)元素質(zhì)譜信號(hào)穩(wěn)定后作為空白值。本發(fā)明無需強(qiáng)酸、強(qiáng)堿及消解設(shè)備，綠色環(huán)保，樣品無需特別加工、檢測(cè)方便快速、測(cè)定下限低，干擾少，靈敏準(zhǔn)確；可直接用于高純GaN的雜質(zhì)元素含量測(cè)定和雜質(zhì)元素分布平面(三維)測(cè)定；完全規(guī)避了樣品化學(xué)消解帶來的局限性。