本發(fā)明提供一種相變存儲(chǔ)器底部接觸結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供表面形成有至少兩個(gè)導(dǎo)電插塞結(jié)構(gòu)的晶片；在該晶片的表面依次淀積刻蝕終止層、第一介電層、第二金屬層；光刻、刻蝕第二金屬層、第一介電層與刻蝕終止層形成開口，該開口的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁分別落在兩個(gè)導(dǎo)電插塞上；淀積第一金屬層；去除相鄰導(dǎo)電插塞之間的第一金屬層；淀積第二介電層，填充所述開口；依次研磨第二介電層、第一金屬層、第二金屬層形成相變存儲(chǔ)器底部接觸結(jié)構(gòu)，所述研磨過程中，采用感應(yīng)電流法檢測(cè)研磨終點(diǎn)。本發(fā)明還提供一種化學(xué)機(jī)械研磨終點(diǎn)的檢測(cè)方法，不限于相變存儲(chǔ)器底部接觸結(jié)構(gòu)的制作。采用本發(fā)明的技術(shù)方案，對(duì)研磨終點(diǎn)的判斷準(zhǔn)確，且對(duì)硬件的要求低。