本發(fā)明公開了一種研磨終點探測方法,包括如下步驟:發(fā)射一激光至晶圓的被研磨層;晶圓對激光進行反射;通過分析經(jīng)由晶圓反射的反射光的光強信號變化來判定是否到達研磨終點。還公開了研磨終點探測裝置及研磨機臺。本發(fā)明利用晶圓的被研磨層與下一層材料反射率的差異性,通過分析反射光的光強變化來判斷是否研磨到下一層反射率不同的材料,當晶圓的被研磨層被局部研磨完露出下層反射率不同的材料時,反射光信號開始變化,當晶圓上被研磨層的全部被研磨完后反射光信號變化趨緩,即可通過研磨終點探測程序抓到研磨終點。由于研磨終點光學探測信號比較明顯,因此探測穩(wěn)定性和可重復性更高,且可以廣泛適用于半導體制造技術中的多種化學研磨工藝。
聲明:
“研磨終點探測方法、裝置及研磨機臺” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)