本發(fā)明提供了一種渦流偵測(cè)裝置以及金屬層厚度的測(cè)量方法。所述渦流偵測(cè)裝置,應(yīng)用于化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺(tái),所述化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺(tái)包括研磨盤,所述渦流偵測(cè)裝置包括多個(gè)渦流探頭,所述渦流探頭包括中央探頭和邊緣探頭,所述中央探頭和邊緣探頭設(shè)置在與研磨盤中心不同距離的位置。本發(fā)明通過在研磨盤不同半徑處增加渦流探頭,收集晶圓邊緣金屬層厚度用以補(bǔ)償原有探頭邊緣監(jiān)測(cè)能力的不足,提高了渦流偵測(cè)能力。
聲明:
“渦流偵測(cè)裝置以及金屬層厚度的測(cè)量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)