2O3光電探測器及其制備方法和性能提升方法,化學(xué)分析"> 2O3光電探測器及其制備方法和性能提升方法,本發(fā)明公開了一種非晶Ga2O3光電探測器及其制備方法和性能提升方法,所述非晶Ga2O3光電探測器包括:襯底、沉積于所述襯底表面的摻氫非晶Ga2O3薄膜有源層和設(shè)置于所述摻氫非晶Ga2O3薄膜有源層上的電極;其中,所述摻氫非晶Ga2O3薄膜有源層為在20℃~400℃含氫氣氛下,采用真空沉積法制備的非晶薄膜;所述真空沉積法包括磁控濺射、脈沖激光沉積、電子束沉積、化學(xué)氣相沉積中的任一方法。">

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非晶Ga2O3光電探測器及其制備方法和性能提升方法

676   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:24:12
本發(fā)明公開了一種非晶Ga2O3光電探測器及其制備方法和性能提升方法,所述非晶Ga2O3光電探測器包括:襯底、沉積于所述襯底表面的摻氫非晶Ga2O3薄膜有源層和設(shè)置于所述摻氫非晶Ga2O3薄膜有源層上的電極;其中,所述摻氫非晶Ga2O3薄膜有源層為在20℃~400℃含氫氣氛下,采用真空沉積法制備的非晶薄膜;所述真空沉積法包括磁控濺射、脈沖激光沉積、電子束沉積、化學(xué)氣相沉積中的任一方法。
聲明:
“非晶Ga2O3光電探測器及其制備方法和性能提升方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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