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水洞三維流場PIV測試用示蹤粒子及其制備方法

795   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:25:17
本發(fā)明公開了一種水洞三維流場PIV測試用示蹤粒子及其制備方法,首先采用種子溶脹法制備微米級的芯核(1),然后對芯核(1)進行表面除油和敏化預處理,再進行化學鍍銀的包覆方法進行金屬化處理提高光散射強度,最后用硅烷偶聯(lián)劑進行表面改性處理來改善粒子的分散性能,得到水洞三維流場-PIV示蹤粒子。經(jīng)本發(fā)明方法制得的水洞三維流場-PIV示蹤粒子剖面結(jié)構(gòu)為中心是芯核(1),芯核(1)與表面改性層(3)之間是金屬銀包覆層(2)。其平均粒度為3μm~22μm、密度為1.1g/cm3~1.4g/cm3,且具有窄的粒度分布,較好的流場跟隨性和高的光散射強度。
聲明:
“水洞三維流場PIV測試用示蹤粒子及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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