本發(fā)明公開了一種單片晶圓測試多臺(tái)設(shè)備的方法,包括以下步驟:應(yīng)力測試儀對裸硅晶圓進(jìn)行應(yīng)力前置測試,獲取前置應(yīng)力值;將裸硅晶圓置入化學(xué)氣相沉積設(shè)備中,對應(yīng)力測試后的裸硅晶圓沉積氮化硅,膜厚測試儀對沉積氮化硅的硅晶圓進(jìn)行膜厚和折射率測試,獲取氮化硅膜厚和折射率作為化學(xué)氣相沉積設(shè)備測機(jī)參數(shù),以及應(yīng)力測試儀對沉積氮化硅的硅晶圓進(jìn)行后置應(yīng)力測試,獲取第一后置應(yīng)力值。本方案省去多道傳統(tǒng)檢測工藝步驟,簡化測機(jī)工藝流程,縮短了檢測周期,減少測機(jī)片的使用,提高檢測效率。
聲明:
“單片晶圓測試多臺(tái)設(shè)備的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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