本發(fā)明涉及一種微條氣體室探測器基板的制造方法,它是采用熱絲化學氣相沉積法由硅基片上沉積CVD金剛石膜而制成。先對n型(100)單晶硅基片預(yù)處理,然后放入熱絲化學氣相沉積裝置的真空反應(yīng)室中充入反應(yīng)氣體乙醇和氫氣,經(jīng)氫等離子體清洗、碳化、偏壓增強成核、生長四個過程制得基板毛胚,再經(jīng)激光法拋光和清潔處理而制得。本發(fā)明通過控制金剛石晶粒的擇優(yōu)生長和采用激光拋光法兩種途徑獲得高質(zhì)量、低表面粗糙度的金剛石薄膜基板,可克服目前探測器電荷積累效應(yīng)大和基板不穩(wěn)定性,是一種理想的微條氣體室探測器基板。本發(fā)明制作工藝簡單、成本低廉、實用性強和無毒無害。
聲明:
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