本發(fā)明公開了一種碲鋅鎘像素探測器電極的鈍化方法,用于對碲鋅鎘像素探測器電極進行鈍化,降低漏電流。所述方法首先采用CdZnTe晶體,進行線切割,研磨、機械拋光、清洗后在2%Br-MeOH中化學拋光,得到待用的CdZnTe晶片。然后將經(jīng)機械拋光和化學拋光的CdZnTe晶片通過清洗、涂膠、烘干、曝光、顯影、真空蒸鍍電極和剝離等工藝,制備出像素探測器電極;然后放入RIE-3型反應(yīng)離子刻蝕機中抽真空,真空度為0.3333~0.3999Pa;調(diào)節(jié)氧氣流量為70~80cm3/min;調(diào)節(jié)工作氣壓為0.5~1.0Pa;調(diào)節(jié)射頻功率為8~12W;刻蝕時間為35~50min。通過上述步驟CdZnTe像素探測器電極間的CdZnTe表面生成致密氧化物薄膜,漏電流減小了一個數(shù)量級,達到了鈍化目的。?
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