本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電子器件領(lǐng)域，公開了一種半導(dǎo)體薄膜光電探測(cè)器及其制備方法，其中制備方法包括以下步驟：(1)配制用于生長(zhǎng)硫?qū)倩衔锕饷舭雽?dǎo)體薄膜的前體溶液，將潔凈的襯底浸入前體溶液中進(jìn)行一次化學(xué)浴沉積，對(duì)應(yīng)得到20?500nm厚的薄膜，利用僅一次化學(xué)浴沉積或重復(fù)多次化學(xué)浴沉積生長(zhǎng)得到厚度達(dá)到目標(biāo)要求的硫?qū)倩衔锕饷舭雽?dǎo)體薄膜；(2)將襯底進(jìn)行整體退火敏化處理；制作電極即可得到半導(dǎo)體薄膜光電探測(cè)器。本發(fā)明通過(guò)對(duì)制備方法整體流程工藝設(shè)計(jì)、以及關(guān)鍵化學(xué)浴沉積的參數(shù)條件等進(jìn)行改進(jìn)，能夠解決現(xiàn)有半導(dǎo)體薄膜光電探測(cè)器制備條件復(fù)雜、大規(guī)模生產(chǎn)成本高昂、工藝可靠性低和難以實(shí)現(xiàn)柔性化的問(wèn)題。