一種二氧化鈦?zhàn)贤夤怆娞綔y器的制備方法,涉及一種半導(dǎo)體光電探測器件。提供一種器件暗電流較小的二氧化鈦?zhàn)贤夤怆娞綔y器及其制備方法。探測器采用金屬-半導(dǎo)體-金屬結(jié)構(gòu),從下到上包括一層絕緣襯底,利用磁控濺射技術(shù)在絕緣襯底上沉積的多晶TiO2薄膜,用磁控濺射或電子束蒸發(fā)技術(shù)在TiO2薄膜上制備的叉指金屬電極。采用優(yōu)化濺射工藝參數(shù)沉積高質(zhì)量多晶TiO2薄膜,沉積的薄膜具有理想的化學(xué)配比,高的致密度和結(jié)晶度。利用該薄膜為基體制備的MSM結(jié)構(gòu)紫外探測器具有響應(yīng)度高,暗電流小,紫外可見抑制比高等優(yōu)點(diǎn)。制備過程簡單,成本低,若在Si基襯底上制作,則可與成熟的Si工藝兼容,有利于光電集成,容易產(chǎn)業(yè)化。
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