本發(fā)明涉及一種碲銦汞光電探測器
芯片制作方法,經(jīng)過碲銦汞(Hg3In2Te)晶片表面處理、晶片表面生長氧化層、生長鈍化保護層、去除探測器光敏區(qū)的鈍化層、在光敏區(qū)形成碲銦汞氧化膜、生長透明金屬電極(ITO)薄膜、利用光刻技術(shù)及剝離工藝,最后去除電極以外區(qū)域的ITO膜形成肖特基接觸電極結(jié)構(gòu),在晶片表面生長氧化層以及在光敏區(qū)形成碲銦汞氧化膜是利用等離子增強化學氣相淀積(PECVD)系統(tǒng)依靠自身氧化生長而成。由于采用等離子氧化技術(shù)使得碲銦汞晶片氧化膜具有均勻、致密、穩(wěn)定等優(yōu)點,提高了肖特基勢壘,所以與ITO透明金屬電極形成的肖特基結(jié)構(gòu),充分發(fā)揮了肖特基型光電探測器是一種多子器件、沒有“少子”存貯效應的特性,開關(guān)時間短,具有良好的高頻特性和開光特性,而且提高了開路電壓與效率。
聲明:
“碲銦汞光電探測器芯片制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)