本發(fā)明提供了一種基于摻雜鉍銅硒氧薄膜的光、熱探測(cè)器。該探測(cè)器包括橫向熱電元件,在所述橫向熱電元件的上表面設(shè)置有兩個(gè)對(duì)稱的金屬電極作為電壓信號(hào)的輸出端,所述金屬電極通過電極引線將橫向熱電元件的電壓信號(hào)輸出端與電壓表輸入端相連接;所述橫向熱電元件包括c軸傾斜的氧化物單晶基片及生長(zhǎng)在所述氧化物單晶基片上c軸傾斜的摻雜鉍銅硒氧薄膜,所述金屬電極設(shè)置在所述摻雜鉍銅硒氧薄膜的上表面;所述摻雜鉍銅硒氧薄膜的化學(xué)式為Bi1-xMxCuSeO,其中,M為Pb、Ba、Sr、Ca或Mg,0<x<0.2。本發(fā)明與基于本征鉍銅硒氧薄膜探測(cè)器相比,可大幅提升探測(cè)靈敏度并縮短響應(yīng)時(shí)間。
聲明:
“基于摻雜鉍銅硒氧薄膜的光、熱探測(cè)器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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