本發(fā)明公開(kāi)了一種紫外探測(cè)器及其制備方法,該紫外探測(cè)器的制備方法包括清洗鈦片、
電化學(xué)腐蝕鈦片預(yù)處理、生長(zhǎng)p型GaN納米陣列、電化學(xué)腐蝕制備TiO
2和蒸鍍電極,該紫外探測(cè)器具有較高比容的GaN和TiO
2,生成異質(zhì)結(jié)電場(chǎng),可實(shí)現(xiàn)對(duì)光生電子/空穴的快速分離。本發(fā)明得到的紫外探測(cè)器具有較高的暗光電流比,同時(shí)具有自驅(qū)動(dòng)和高響應(yīng)速度等特點(diǎn)。
聲明:
“紫外探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)