本發(fā)明公開了一種低應力鈍化的臺面型延伸波長銦鎵砷探測器制備方法,其結構為:在半絕緣InP襯底上,依次生長N
+型InP層,組分漸變的N
+型In
xAl
1?xAs緩沖層,In
xGa
1?xAs吸收層,P
+型In
xAl
1?xAs帽層,氮化硅SiN
x鈍化膜,P電極,加厚電極。鈍化膜為感應耦合等離子體化學氣相沉積技術生長低應力氮化硅鈍化膜。本發(fā)明的優(yōu)點在于:采用低應力的氮化硅薄膜鈍化,控制大面陣探測器
芯片的翹曲度<10μm,有利于實現(xiàn)低盲元率的焦平面器件;低應力氮化硅鈍化膜的可靠性高;低應力氮化硅鈍化膜的表面?zhèn)让驸g化效果好。
聲明:
“低應力鈍化的臺面型延伸波長銦鎵砷探測器制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)