本發(fā)明公開(kāi)了一種基于二硒化鎢的自驅(qū)動(dòng)光電探測(cè)器及其制備方法,屬于二維半導(dǎo)體光電探測(cè)器的設(shè)計(jì)和制備技術(shù)領(lǐng)域。所述的探測(cè)器材料為化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)的大面積二硒化鎢單層,利用探針將二維半導(dǎo)體刻畫(huà)成非對(duì)稱溝道,致使器件可以在零偏壓下工作,降低了功耗,進(jìn)而制備無(wú)需源漏電壓即可工作的自驅(qū)動(dòng)型光電探測(cè)器。本發(fā)明公開(kāi)的基于二硒化鎢的自驅(qū)動(dòng)光電探測(cè)器的制備方法簡(jiǎn)單,易于操作,并且很容易推廣到其他化學(xué)氣相沉積法獲得的材料;采用干法轉(zhuǎn)移技術(shù)將兩個(gè)電極轉(zhuǎn)移到溝道材料表面,避免光刻工藝對(duì)材料產(chǎn)生破壞,減弱費(fèi)米釘扎效應(yīng),使器件具有良好的柵控特性。
聲明:
“基于二硒化鎢的自驅(qū)動(dòng)光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)