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GaN基外延材料位錯缺陷的測定方法

929   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:27:47
一種GaN基外延材料位錯缺陷的測定方法,步驟如下:將磷酸溶液或者磷酸和硫酸的混合溶液加熱至溶液沸騰;將氮化鎵樣品放入沸騰的酸中腐蝕20~30分鐘;取出樣品,將樣品進行化學(xué)清洗并干燥;采用熒光顯微鏡觀察樣品,將熒光顯微鏡的光源轉(zhuǎn)換到強光源,并設(shè)為暗場模式,目鏡中觀察到的材料表面呈現(xiàn)黑色,由于位錯形成的不同大小的凹坑的斜面和底部反射入射光,形成大小不同的光斑,統(tǒng)計樣品上光斑的數(shù)量,得到不同位錯總數(shù),將相應(yīng)的位錯總數(shù)除以該放大倍數(shù)下的觀察面積,得到對應(yīng)的位錯密度。本發(fā)明利用沸騰的酸類化學(xué)品刻蝕結(jié)合暗場熒光顯微鏡技術(shù),利用強光源在暗場條件下光在不同位錯缺陷位置呈現(xiàn)出的不同大小的光斑,可對位錯進行測定。
聲明:
“GaN基外延材料位錯缺陷的測定方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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