本發(fā)明公開(kāi)了一種寬譜InGaAs雪崩焦平面探測(cè)器及其制造方法。采用InP襯底和背照射結(jié)構(gòu)。自襯底起依次包含InP腐蝕犧牲層,InGaAs腐蝕犧牲層,重?fù)诫sInP腐蝕截止層,InGaAs吸收層,能帶遞變層,電荷層,重?fù)诫s接觸層,銦柱及讀出電路;還公開(kāi)了一種制造所述探測(cè)器的方法,主要步驟為:1)產(chǎn)生與讀出電路互聯(lián)的雪崩焦平面模塊;2)機(jī)械研磨拋光InP襯底層;3)化學(xué)腐蝕掉InP犧牲層;4)化學(xué)腐蝕掉InGaAs犧牲層。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于實(shí)現(xiàn)InGaAs雪崩焦平面對(duì)400?1700nm可見(jiàn)及近紅外波段的寬光譜響應(yīng),控制精度高、損傷低。
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“寬譜InGaAs雪崩焦平面探測(cè)器及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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