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折射面入光探測器的制作方法

1146   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-19 07:27:48
一種折射面入光探測器的制作方法，制作過程包括如下步驟：步驟1： 在襯底上采用MOCVD的方法生長探測器材料結構；步驟2：在探測器材料 結構的上面制作p型歐姆接觸；步驟3：在p型歐姆接觸的周邊向下刻蝕， 形成探測器臺面結構；步驟4：在步驟3形成的器件的上表面生長第一SiO2 層；步驟5：在探測器臺面結構的一側腐蝕掉部分第一SiO2層，形成條形 掩模圖形結構；步驟6：在掩膜圖形結構上，采用化學腐蝕的方法，向下 腐蝕出燕尾槽；步驟7：腐蝕掉器件表面的第一SiO2層，重新在整個器件 的表面生長第二SiO2層；步驟8：在燕尾槽中填入聚合物，使得材料表面 平整；腐蝕掉p歐姆接觸上的第二SiO2層；步驟9：在探測器臺面結構的 一側制作p型金屬電極；步驟10：將襯底減薄，在襯底的背面制作金屬電 極；步驟11：清除掉燕尾槽中的聚合物，解理芯片，完成整個器件的制作。
聲明：
“折射面入光探測器的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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