本發(fā)明涉及一種光電探測器
芯片制作方法,采用濕法刻蝕隔離成型工藝取代現(xiàn)有的化合物半導體光電探測器芯片加工中干法刻蝕隔離成型工藝;采用以雙苯基環(huán)丁烯鈍化工藝取代現(xiàn)有的化合物半導體光電光電探測器芯片加工中化學氣相沉積鈍化工藝。本發(fā)明旨在最大限度地降低光電探測器制作中由于加工工藝引入的附加暗電流。
聲明:
“基于免等離子工藝降低暗電流的光電探測器芯片制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)