本發(fā)明提供了一種日盲型紫外光電探測器及其制備方法,該日盲型紫外光電探測器,包括:導(dǎo)電基底,其上開設(shè)有溝道;Ga2O3納米柱陣列,其位于所述溝道上;聚甲基丙烯酸甲酯層,其覆蓋Ga2O3納米柱陣列。本發(fā)明的日盲型紫外光電探測器,Ga2O3具有高的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性,其禁帶寬度約為4.9eV,只對日盲區(qū)的深紫外光敏感,相比傳統(tǒng)使用AlGaN、MgZnO等材料,Ga2O3不需要任何摻雜來調(diào)節(jié)帶隙,避免了合金相的成分波動和相分離;而使用的聚甲基丙烯酸甲酯層,使得日盲型紫外光電探測器具有較低的暗電流,在低光強(qiáng)下仍具有較高的開關(guān)比。
聲明:
“日盲型紫外光電探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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