本發(fā)明涉及到一種增強型二維半導(dǎo)體光電探測器及其制備方法,本發(fā)明包括由下至上的絕緣襯底1、金屬電極2、二維半導(dǎo)體薄膜3和貴金屬納米顆粒4。在絕緣襯底上光刻制備電極,化學(xué)氣相沉積(CVD)方法制備二維
半導(dǎo)體材料,物理蒸鍍的貴金屬薄膜經(jīng)過高溫退火形成貴金屬納米顆粒。將制備的二維半導(dǎo)體薄膜和貴金屬納米顆粒依次轉(zhuǎn)移到制備的電極上,構(gòu)建復(fù)合結(jié)構(gòu)的光電探測器。本發(fā)明所涉及的光電探測器制備方法簡單,其具有低的暗電流和高的開關(guān)比。
聲明:
“增強型二維半導(dǎo)體光電探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)