本發(fā)明涉及光電探測(cè)領(lǐng)域,具體涉及一種
石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管量子點(diǎn)光電探測(cè)器及其制備方法;該光電探測(cè)器為多層薄膜結(jié)構(gòu),包括Si襯底層、第一絕緣層、第二絕緣層、石墨烯溝道層、量子點(diǎn)光敏介質(zhì)層以及源極與漏極;襯底上依次熱氧化生長第一絕緣層氧化硅,磁控濺射法生長第二絕緣層氮化鋁作為雙絕緣層,增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法生長石墨烯層于雙絕緣層上,石墨烯層兩端設(shè)有源極和漏極,源極和漏極之間涂覆一層量子點(diǎn)光敏介質(zhì)層。本發(fā)明通過設(shè)計(jì)合理的器件結(jié)構(gòu),在光照情況下量子點(diǎn)和石墨烯之間可發(fā)生有效的電荷轉(zhuǎn)移,從而將特定頻率的光轉(zhuǎn)換成光電流,最終實(shí)現(xiàn)對(duì)入射光的有效探測(cè)。
聲明:
“石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管量子點(diǎn)光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)