本發(fā)明涉及一種應(yīng)用
石墨烯電極在GaN自支撐襯底上制備AlGaN肖特基日盲紫外探測(cè)器的方法,其中制作方法包括:先通過(guò)氫化物化學(xué)氣相制備自支撐襯底GaN,在GaN自支撐襯底上依次沉積N型重?fù)诫s高Al組分的AlGaN層、N型輕摻雜高Al組分的AlGaN層。然后在結(jié)構(gòu)背面,通過(guò)電子束蒸發(fā)制作歐姆接觸的背電極,在N型輕摻雜AlGaN層上制備石墨烯肖特基接觸,并且用剝離技術(shù)制作圓形圖案。最后在整個(gè)結(jié)構(gòu)頂部沉積一層鈍化層,并刻蝕部分鈍化層至石墨烯肖特基接觸表面,然后沉積金屬蓋帽層。本發(fā)明兼顧目前的工藝生產(chǎn)流程,將高阻率的GaN作為自支撐襯底,實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)接觸制作在襯底不同側(cè),減小了開啟電壓,并且將石墨烯用作肖特基接觸,進(jìn)一步提高紫外透過(guò)率,提高日盲紫外探測(cè)器性能,以用于探測(cè)微弱信號(hào)的紫外光線。
聲明:
“應(yīng)用石墨烯電極在GaN自支撐襯底上制備AlGaN肖特基日盲紫外探測(cè)器的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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